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上约有 32 项符合MOSFET的查询结果, 以下是第 1 - 15 项。 (搜索用时 0.437 秒)
  2008年11月13日 – 安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出8款新的MOSFET器件,专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2008-11/20081115042708.htm -- 2008-11-15 0:00:00
  过去15到20年间,汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展成为蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引起的瞬态高压现象。且封装很简单,主要采用TO220 和 TO247封装。电动车窗、…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2008-09/2008917080028.htm -- 2008-3-3 0:00:00
  Intersil公司(纳斯达克全球精选市场交易代码:ISIL)今天宣布,推出高频 6A 吸入电流同步(sink synchronous) MOSFET 栅极驱动器 ISL6615 和 ISL6615A 。这些新器件有助于为系统安全提供更高的效率、灵活性和更多的保护功能。  Intersil 公司此次推出的新型驱…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2008-05/2008516043236.htm -- 2008-5-16 0:00:00
  安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)扩展MOSFET驱动器集成电路(IC)系列,推出四款新器件:NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。这些新的功率门驱动器针对中低功率应用,适用于终端产品包括白家电、照明电子…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2008-04/2008416120140.htm -- 2008-4-16 0:00:00
  安森美半导体推出12款新的功率MOSFET器件,优化直流-直流(dc-dc)转换,并降低关键电平的功率损耗。这些MOSFET非常适用于笔记本电脑、台式电脑和游戏机等计算应用中的高低端开关,如中央处理器(CPU)、图形处理器(GPU)和系统输入端的dc-dc…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2008-03/2008323121657.htm -- 2008-3-24 0:00:00
  凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4443/-1,该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和凌力尔特公司众多 DC/DC 控制器之一相结合,可形成一个完整的…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2008-03/2008319055007.htm -- 2008-3-19 0:00:00
  恩智浦半导体(NXP Semiconductors)(由飞利浦创建的独立半导体公司)今日发布了全新的小信号MOSFET器件系列,新产品采用了全球最小封装之一的SOT883进行封装。恩智浦SOT883 MOSFET面积超小,仅为1.0 x 0.6毫米,与SOT23相比,功耗和性能不相上…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2008-02/2008229043552.htm -- 2008-2-29 0:00:00
  安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出12款新的功率MOSFET器件,优化直流-直流(dc-dc)转换,并降低关键电平的功率损耗。这些MOSFET非常适用于笔记本电脑、台式电脑和游戏机等计算应用中的高低端开关,如中央处…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2008-02/2008221100726.htm -- 2008-2-21 0:00:00
  飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出 40V P 沟道 PowerTrench MOSFET 产品 FDD4141,为功率工程师提供快速开关的解决方案,可将开关损耗减少达一半。FDD4141 具有低导通阻抗 (RDS(ON)),与目前的 MOSFET 比较能降低栅极电荷(QG) 达 50%,可让便…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2008-02/2008219103907.htm -- 2008-2-19 0:00:00
  凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高输入电源电压 (100V) 同步 MOSFET 驱动器 LTC4444,该器件用于在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端功率的 N 沟道 MOSFET。这个驱动器可与功率 MOSFET 以及凌力尔特公司的很多 DC/DC 控制器一…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2007-12/2007124020412.htm -- 2007-12-4 0:00:00
  凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4442/-1,该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多 DC/DC 控制器组合使用时,可组成完整的高效率同步稳压器,…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2007-11/20071128100352.htm -- 2007-11-28 0:00:00
  飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N沟道MOSFET系列,提供高达8kV 的ESD (HBM) 电压保护,较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用 (如笔记本电脑和手机) 的最新架构。利用飞兆半导体的Power Trench®…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2007-08/2007824093142.htm -- 2007-8-24 0:00:00
  2007年7月3日讯-- Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布推出MCP1401及MCP1402 (MCP140X) 单输出MOSFET驱动器。MCP1401及MCP1402 MOSFET驱动器分别采用反相和非反相设计,额定峰值输出电流均为0.5A,工作电压范围则宽达4.5V 至1…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2007-07/200774090955.htm -- 2007-7-4 0:00:00
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H,采用双DPAK封装,提供业界领先的散热能力,有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。FDD8424H专为半桥和全桥逆变器设计而优化,是液晶电视、液晶显…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2007-05/2007515082151.htm -- 2007-5-15 0:00:00
  引言  RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期,RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。到90年代后期,的出现改变了这一状况。和硅双极型晶体管或GaAs MOSFET相比较,硅基LDMOS…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2007-03/2007312082435.htm -- 2007-3-12 0:00:00
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