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上约有 8 项符合MRAM的查询结果, 以下是第 1 - 7 项。 (搜索用时 0.296 秒)
  2008年6月9日,德州奥斯汀 – 飞思卡尔半导体今日宣布,它与几大风险投资公司合作,成立一家主营MRAM(磁阻随机存取存储器)业务的独立公司。新公司名为EverSpin Technologies,将继续交付并扩大它当前独立的MRAM及相关磁阻产品组合。飞思…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2008-06/2008613100039.htm -- 2008-6-13 0:00:00
  磁阻随机存取存储器(MRAM)产品的提供商飞思卡尔半导体日前为西门子工业自动化部门开发的工业触摸屏应用提供非易失性MRAM技术。飞思卡尔的4Mbit MRAM器件已经集成到西门子Simatic Multipanel MP 277和工业自动化系统使用的MP 377人机界面(HMI)…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2008-04/200841032257.htm -- 2008-4-1 0:00:00
  磁阻式随机存取存储器( MRAM)产品提供商飞思卡尔半导体公司为环境苛刻的应用,如军事、航空航天、工业和汽车系统等提供非易失性存储技术。Angstrom Aerospace最近宣布在其磁力计子系统中使用飞思卡尔的温度范围更大的4Mbit,该系统将被搭载在…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2008-02/2008228094734.htm -- 2008-2-28 0:00:00
  Freesacle半导体公司在今年年初推出了其新型4-Mbit磁阻随机存取存储器(MRAM)芯片,这标志着存储器市场一个新时代的开始。毕竟,MRAM是利用磁极化而非电荷来储存信息量的。  但是,这项改变的真正意义远远超出了存储方法的变化。MRA…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2007-12/20071223075156.htm -- 2007-12-24 0:00:00
  2007年6月18日 德克萨斯州奥斯汀讯-飞思卡尔半导体成功推出全球第一款3伏4Mbit扩展温度范围(-40至+105 C)非易失性RAM (nvRAM)产品,从而扩展了公司获奖的磁电阻式随机存储器 (MRAM)系列产品。该设备可用于恶劣的应用环境,如工业、…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2007-06/2007621092412.htm -- 2007-6-21 0:00:00
嵌入式半导体产品设计及生产领域的全球领导者飞思卡尔半导体,凭借其4 Mbit MRAM设备荣获In-Stat的年度《微处理器报告》(Microprocessor Report)评选的创新类别奖项。此外,这种MRAM设备还在今年早些时候获得了《Electronic Products》评选出的“…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2007-02/2007227035041.htm -- 2007-2-27 0:00:00
加拿大Micromem科技公司( Micromem Technologies Inc.)将关注的目光盯在了MRAM上面,MRAM即Magnetic RAM的简称,是指磁荷随机存储器,它并非磁性材料,而是利用磁荷来储存数据。    开发商Micromem科技公司宣布他们已经找到了潜在的合作伙伴…
http://www.designnews.com.cn/Article/html//2005-12/20051230131412.htm -- 2005-12-30 0:00:00
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