驱动电路的性能很大程度上影响整个系统的工作性能。有许多问题需要慎重设计，例如，导通延时、泵升保护、过压过流保护、开关频率、附加电感的选择等。
1.开关频率和主回路附加电感的选择
力矩波动也即电流波动，由系统设计给定的力矩波动指标为ΔI/IN，对有刷直流电动机而言，通常在(5~10)%左右。为了便于分析可认为
ΔI/IN=ΔI/(Us/Rd) (1)
式中Rd为电枢回路总电阻。代入前面各种驱动控制方式的ΔI表达式中，消去Us，可求出：
对于单极性控制
Ld/Rd≥5T~2.5T(可逆或不可逆) (2)
对于双极性控制
Ld
/Rd≥10T~5T (3)
式中T为功率开关的开关周期。
对于有刷直流电动机，电磁时间常数Ld/Rd一般在10ms至几十毫秒。若采用GTR，开关频率可取2KHz左右，T=0.5ms。若采用IGBT，开关频率可取18KHz以上，所以上式均能满足。若采用GTO或可控硅功率器件，由于工作频率只有100Hz左右，此时应考虑在主回路附加电抗器，且
Ld="Lf"+La (4)
对不可逆系统还应进一步检查临界电流，IaL=UsT/8Ld≤Ia0应小于电机空载电流，防止空载失控。
对于低惯量电机、力矩电动机，由于电磁时间常数很小(几个毫秒或更小)，此时应考虑采用开关频率高的IGBT功率开关器件。
2. 功率驱动电路的选择
图1 H桥开关电路(Ⅰ) 图2 H桥开关电路(Ⅱ)
小功率驱动电路可以采用如图1所示的H桥开关电路。UA和UB是互补的双极性或单极性驱动信号，TTL电平。开关晶体管的耐压应大于1.5倍Us以上。由于大功率PNP晶体管价格高，难实现，所以这个电路只在小功率电机驱动中使用。当四个功率开关全用NPN晶体管时，需要解决两个上桥臂晶体管(BG1和BG3)的基极电平偏移问题。图2中H桥开关电路利用两个晶体管实现了上桥臂晶体管的电平偏移。但电阻R上的损耗较大，所以也只能在小功率电机驱动中使用。
当驱动功率比较大时，一般桥臂电压也比较高，例如直接取工频电压，单相220V，或三相380V。为了安全和可靠，希望驱动回路(主回路)与控制回路绝缘。此时，主回路必须采用浮地前置驱动。图3所示的浮地前置驱动电路都是互相独立的，并由独立的电源供电。由于前置驱动电路中采用了光电耦合，使控制信号分别与各自的前置驱动电路电气绝缘，于是使控制信号对主回路浮地(或不共地)。
图3 大功率驱动电路
3. 具有光电耦合绝缘的前置驱动电路
对于大功率驱动系统，希望将主回路与控制回路之间实行电气隔离，此时常采用光电耦合电路来实现。有三种常用的光电耦合电路如图4所示，其中普通型的典型型号是4N25、117等，高速型的典型型号有985C，高电流传输比型也称达林顿型，典型型号有113等。
图4 典型光电耦合器电路
图中，普通型光耦的Ic/Id=0.1~0.3;高速型光耦采用光敏二极管;高电流传输比型光耦的Ic/Id=0.5;它们的上升延时时间和关断延时时间分别为tr，ts>4~5μs;tr，