随着消费者对电子产品在功率和功能方面的要求日益严苛，半导体行业不断努力尝试在现有的集成电路(亦称芯片)上加入更多的功能。新一代芯片制造是采用氩氟 (ArF) 激光技术的光刻工艺。然而，由于在防护容器(光罩/掩模板)中尚未普遍使用达到“洁净”标准的塑料，导致 ArF 激光技术在 IC(集成电路)制造工艺中的应用一再拖延。为攻克这一难关并满足客户需求，沙伯基础创新塑料的 LNP* 特种复合材料部开发了超纯透明 (UPT) Stat-Loy* 63000CT 系列复合材料。UPT Stat-Loy复合材料可用于晶圆防护设备，预防因释气所造成的毁损，因而导致晶片污染、废料增加和成本提高等问题。
满足 IC 客户需求
IC 制造流程需要严格执行洁净室步骤。随着元器件的日益精细，塑料释气污染的影响更加明显。如果挥发性有机化合物 (VOC) 或可滤取离子触及硅片、光罩或掩膜板的表面，则可能会损毁设备或妨碍其功能。而使用高能 ArF 激光，可能会导致晶片和容器更易于受到释气的影响而损毁。
沙伯基础创新塑料LNP 产品经理 Yeo Aun Hua 表示
：“多年来，由于容器可用材料的匮乏，使 ArF 激光技术根本无用武之地，因此能否提升这项新技术对于 IC 制造商来而言是至关重要的，沙伯基础创新塑料认识到这一点，率先开发出UPT Stat-Loy 63000CT 复合材料，旨在克服元件小型化过程中的主要障碍。我们的研发成果和对创新的不懈追求，都将有助于 IC 晶圆代工厂利用 ArF 激光技术制造出45 纳米或更小的极度精密电路。”
家登精密工业股份有限公司在全球已成为相移掩模 (PSM)与高阶掩模板所使用超清洁光罩运输/储存盒及光罩清洁设备的最大制造商之一。如技术经理 Poshin李博士所言：“对于晶圆厂而言，无论是用于目前还是将来的晶片/光罩运输工具，Stat-Loy 63000CT 都是绝佳的材料。它不仅符合严苛的洁净要求，而且最大程度上降低了在晶圆厂内部运输过程中的污染风险。”
Sakase Chemical Co., Ltd. 的旗下品牌 TAC Carrier开发了用于运输非 JEDEC 标准元件的新容器，包括通常因设计和形状的原因而难以处理的精密仪器、微型零件以及薄膜 IC 芯片等。如开发部门的总经理 Ikuo Konishi 所言：“在具有防静电特性及超纯的 Stat-Loy 63000CT 复合材料与 Kaneka 公司的粘合剂相结合的基础上，我们针对难以处理的非 JEDEC 标准元件例如 MEMS、透镜、芯片、晶片以及精密零件等开发了一条新产品线，能将污染风险降至最低。我们并为UPT 及 Kaneka 材料的商品化设置了清洁室，未来将把这些新开发的运输盒投入生产，供日本众多领先的工程制造商使用。”
超低析出可提高 IC 制造的产量
为了向客户提供正确的解决方案，沙伯基础创新塑料在现有的 LNP Stat-Loy 产品线上增加了 Stat-Loy 63000CT 系列复合材料，这是一种超洁净、透明、永久性防静电材料，可实现VOC 超低析出，以及低水平可滤取离子释放。相比之下，普通透明防静电聚乙烯 (甲基) 甲基丙烯酸盐 (PMMA) 会表现出高释气特性，从而导致形成薄雾。而不透明、碳粉增强的复合材料又无法在不打开容器的情况下，对照盒子编号确认光罩或掩膜板的编码。然而，UPT Stat-Loy 63000CT 复合材料却具备一流的透明度、洁净度以及防静电性能。而且，聚碳酸酯合金型设计的抗冲击性是市场上其他材料的 20 倍以上。
这种新材料还具有极其优秀的着色性能，几乎可以着色成任何一种模内着色的颜色，包括各种特殊的颜色效果。UPT Stat-Loy 63000CT 系列复合材料对于光罩和晶片防护设备、芯片盒、MEMS 盒、光罩盒以及处理盒来说是极佳的备选材料。
UPT Stat-loy 63000CT 复合材料在全球皆有供应。有关沙伯基础创新塑料的 LNP Stat-Loy 复合材料的其他信息，请访问公司网站：www.sabic-ip.com。